cpu芯片估计还要等一两个星期才会寄过来。*k~a￠n^s_h^u^j`u~n·.?c^c\
gpu因为没有上市需求原因，伊斯教授他们只做最高版，中低端只要阉割一下就行。...与此同时。盘古科技cmos研发小组。cmos部门研发出新一代的传感器。新的传感器采用0.13微米工艺，传感器尺寸来到1/3英寸，摄像头像素来到500万，成像效果比上一代更加强悍，成像效果已经秒杀sonyf717。只可惜光学组装厂还没落地，否则可以直接生产供货给友商了。或许大家很好奇为什么要拿sonyf717来进行对比。那是因为即使sonyf717已经上市两年时间，它仍旧是数码相机里面最强悍的。王明将最新研发的cmos传感器数据发给沈浪后，沈浪这边也是当场给他回了一个信息。沈浪：“继续研发大尺寸cmos，小尺寸ccd优化也别停，最大尺寸为44mm和33mm。”在看到沈浪发过来的信息后王明也是倒吸一口冷气，因为这个尺寸对他来说实在是太大了，他搞不明白什么样领域才会用到这么大尺寸s。王明：“好的，沈总。”不过沈浪安排下来的工作他还是会去做的。...盘古科技10楼。?h′u?l,i*a?n￠w^x,.\c?o_m+光刻机研究中心。钟振华隔着观察室的玻璃窗死死盯着机房里面的光刻机。历时3年他们终于将bg-103搞出来了，这还多亏沈浪的100亿投资基金，否则他们也没办法在3年内弄出来，他们原本计划在今年推出bg-104，结果却因为限制问题多耗了两年的时间。当然这期间他们也没有闲着，在这期间他们弄出不少新专利，例如浸没式光刻技术的专利。除此以外他们还为沈浪甄选十二家与光刻机相关产业链公司，目前为止已经向这十二家公司投资金额28亿，同时也获得了这些公司15%到40%的股份。他们在实验室内成功将193arf激光缩短到134。当然他们也只是能再实验室内实现，他们没有办法将这项技术量产。因为他们到目前为止都还没有掌握制造光刻机使用的193arf激光发射器的技术。或许有人会问既然你没有掌握制造光刻机使用的193arf激光发射器的技术。你的193arf激光又是怎么来的？没有193arf激光你又是如何将浸没式光刻技术实现的？他们没办法制造光刻机使用的193arf激光发射器，并不代表他们没办法制造193arf激光。¨c?n_x.i!u?b¨a￠o+.\n¨e!t.经过半个小时操作他们终于将想要的图案都刻进一块8寸的晶圆里面。想要知道成功与否还需要差不多3天时间才知道，后面还有7个步骤等着他们去操作，这七个步骤最少需要3天的时间来完成。不过就算bg-103成功了，他们距离国际水平还很远。之前就说过bg-103是在bg-101分步式光刻机基础下改造的。 分步式光刻机采用分步重复曝光技术，每次仅曝光硅片上的一个独立区域（如单个芯片或小面积图形），完成曝光后通过机械步进移动硅片至下一位置重复该过程。分步式光刻机光刻机不仅效率慢，最高也只能支持0.13微米的工艺。想要提高速度并且制作100纳米以下的芯片，就必须采用步进式光刻机才行，进步式光刻机是在分布式光刻基础上改进，通过缩小投影掩模版图形并同步移动掩模版和硅片，实现更高精度的连续扫描曝光。两者这件的技术可以说是天差地别，直接跳过分步式研发进步式可以吗？理论上是没有任何问题的，只是研发难度会提升几十倍，想要弯道超车需要付出代价太大，如果是一步步走的话，等他们实现0.13工艺以后，在去研发进步式光刻机会简单许多。一步步走的话难度会小很多，而且还能夯实他们现有基础，只有基础打稳往后才能走更远。虽然沈浪给了他们每年5亿的研发费用，因为卡脖子的原因这三年就只花8亿，这钱他们就是想花没有地方花，所有的钱全部花在基础研究上面了。...华威在今天推出了他们的智能手机。这台手机说白了就是换壳iphoe，配置与iphoe一模一样，不过华威走的是合约机，华威与各大温馨提示：亲爱的读者，为了避免丢失和转马，请勿依赖搜索访问，建议你收藏【BB书屋网】 m.bbwwljj.com。我们将持续为您更新！
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