bsp; gca3500a研制成功后，美国商务部和sematech发来贺电，圣何塞布朗市长到场祝贺。
gca管理层、技术团队和普通员工欢欣鼓舞，干劲十足。
gca3500b光刻机的研制成功，gca重回全球光刻机之巅，重新领导全球光刻机产业发展的步伐，对gca的意义如同浴火重生、凤凰涅槃，在同日本半导体产业竞争中取得暂时领先的优势，对美国半导体产业的发展也具有重大意义。
全球近八成高端芯片的订单来自ii、amd和hp等美国高科技公司，这些公司都是sematech会员。
sematech也是扬眉吐气，赶超nikoech会员的共同目标，ii、amd和hp等美国半导体设备和生产公司将会抢先预定gca3500b光刻机和由gca3500b光刻机为主构成的半导体生产线。
按照双方签订的专利技术转让协定，gca研制的适合8英寸晶圆和350nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统技术将交给bsec，bsec将在国内专利局和国际专利局分别申请公司发明专利。
万事开头难！
bsec光刻机工作台研究所如今又研制成功适合5英寸晶圆和1um制程工艺、6英寸晶圆和1um制程工艺、6英寸和800nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统。
经过6个多月的等待，bsec从国家专利局拿到了5英寸晶圆和1.5um制程工艺光刻机的公司发明专利证书。
bsec为华越半导体公司生产的一条5英寸晶圆和1.5um制程工艺半导体生产线正在有序的生产之中。
5英寸晶圆和1.5um制程工艺光刻机的生产技术还没有拿到世界专利局批准的公司发明专利。
按照西方人的办事风格，没有18个月是拿不到的。
bsec又在国内专利局和世界专利局分别提交了适合5英寸晶圆和1um制程工艺、6英寸晶圆和1um制程工艺、6英寸和800nm制程、8英寸和500nm制程工艺、8英寸和350nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统公司发明专利的申请。
前三项是bsec研发成功的公司发明专利技术，后二项是gca研发成功的公司发明专利技术。
按照双方签订的专利技术转让协定，gca只有适合8英寸和500nm制程工艺、8英寸和350nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统专利技术使用权，没有专利技术转让权。
在arfi准分子激光器研发成功之前，bsec光刻机工作台研究所继续研发适合8英寸和500nm制程工艺、8英寸和350nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统，与gca研发成功的双工作台系统进行对比，取长补短，为研发适应浸没式光刻系统的磁悬浮式双工作台系统储备技术。
根据九二年修订的专利法，国内的发明专利保护期限变成了20年，实用新型专利权和外观设计专利权的期限为10年，均自申请之日起计算。
只要重新申请的新发明专利比前一个发明专利更先进，发明专利的保护期限可以一直延长下去，形成事实上的技术垄断，就像wind
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